| 个人简介

曹菲，大连海事大学信息学院副教授、硕士生导师。作为负责人主持和完成国家自然科学基金青年基金项目、国防重点实验室项目。参与国家自然基金重大仪器研制项目、面上项目等。近年来以第一作者或通讯作者在IEEE Journal of the Electron Devices Society、Journal of Alloys and Compounds等国际期刊发表SCI收录论文20余篇。作为主要成员获省科学技术二等奖（自然科学类）2项，排名分别为第二、第三。

| 教育经历

| 工作经历

| 讲授课程

1. 数字系统与逻辑设计

2. 数字系统与逻辑设计实验

3. 数字系统课程设计

4. EDA技术

| 研究领域

1. 功率半导体器件与集成技术

2. 集成电路制造技术

3. 半导体传感器与信号处理电路

学术成果

| 发表的部分期刊论文

[1] Fei Cao; Xuezhen Wang; Wanzhao Cui;Lei Yao;Yanxing Song; Ying Wang; High thermal reliability study of copper- base β-Ga2O3 Schottky diodes with thin Al2O3 insertion layers.Micro and Nanostructures,2025,208 (208363).

[2] Fei Cao; Yang-xi Xu; Jin-chi Sui; Xing-ji Li; Jian-qun Yang; Ying Wang ; Low temperature Cu/Ti/Al Ohmic contacts to p-type 4H-SiC, Journal of Alloys and Compounds, 2022, 901(163580).

[3] Yang-xi Xu; Jin-chi Sui; Fei Cao; Xing-ji Li; Jian-qun Yang; Ying Wang ; Low temperature Ni/Si/Al ohmic contacts to p-type 4H-SiC, Solid-State Electronics, 2021, 186(108106).

[4] Ke-han Chen; Fei Cao; Zhao-yang Yang; Xing-ji Li; Jian-qun Yang; Ding-kun Shi; Ying Wang; Improved interface characteristics of Mo/4H-SiC schottky contact, Solid-State Electronics,2021, 185(108152).

[5] Fei Cao; Meng-tian Bao; Xue Wu; Wen-Ju Wang; Cheng-Hao Yu; Ying Wang ; An Improved 4H-SiC Trench MOS Barrier Schottky Diode with Lower On-resistance, IEEE Access, 2019, 7: 95710-95715.

| 第一发明人授权发明专利

[1] 一种P型碳化硅Cu/Ti/Al/Ni欧姆接触制造结构及制造方法. 申请日期: 2022年2月14日. 中国, 专利申请号：202210131 876.4.

[2] 一种用于提高抗单粒子烧毁能力的增强型 GaN HEMT.申请日期：2025年5月16日.中国.专利申请号:202510178720.5.

[3] 一种 Cu/TiN/β-Ga2O3 肖特基二极管及其制备方法.申请日期：2025年5月27日.中国.专利申请号：202510219186.8.

| 主持的科研项目

[1] N型和P型兼容的铜基碳化硅欧姆接触机理与关键技术研究，国家自然科学基金青年基金，2020/01至2022/12 主持

[2] 高性能功率MOSFET单粒子辐射效应与加固技术研究，国防科技重点实验室稳定支持，2022/01至2024/12 主持

| 主要荣誉

[1] 铜互连阻挡层理论与技术基础研究，省科学技术奖二等奖（自然），2012年，排名二

[2] 功率半导体器件机理与性能调控，省科学技术奖二等奖（自然），2019年，排名三

| 招生信息