
| 王颖 教授 电子信息科学与技术系 信息与通信工程 wangying7711@dlmu.edu.cn 功率半导体器件与集成技术、半导体传感器与信号处理电路、微电子器件TCAD技术 |
| 个人简介
王颖,大连海事大学信息学院教授、博导。作为负责人主持和完成国家自然科学基金重大仪器研制项目、面上项目、教育部科技重大项目、省杰青、省重点项目以及企业合作项目等。以第一/唯一通讯作者发表SCI收录论文120余篇,其中IEEE汇刊长文60余篇;以第一发明人获发明专利授权50余项;以第一完成人获省自然科学二等奖2项、参与军队科学技术一等奖1项。获得国家百千万人才工程、教育部新世纪优秀人才等荣誉。担任中国电源学会元器件专委会委员、大连市半导体行业协会专家委员会委员等。
| 教育经历
1995.09-1999.07 | 辽宁大学 微电子技术专业 本科 |
1999.09-2002.07 | 辽宁大学 微电子学与固体电子学专业 硕士 |
2002.09-2005.11 | 西安交通大学 电子科学与技术专业 博士 |
| 工作经历
2005.12-2009.08 | 哈尔滨工程大学 信息与通信工程学院 副教授 |
2009.09-2015.12 | 哈尔滨工程大学 信息与通信工程学院 教授 |
2016.01-2021.09 | 杭州电子科技大学 电子信息学院 教授 |
2021.09至今 大连海事大学 信息科学技术学院 教授
| 讲授课程
1. 微电子器件
2. EDA技术
| 研究领域
1. 功率半导体器件与集成技术
2. 半导体传感器与信号处理电路
3. 微电子器件TCAD技术
4. 集成光电子技术及应用
学术成果
| 发表的部分期刊论文
[1] Wan-Chen Jiang, Ying Wang*, Bing Hong, Rui Zhang, Yu-Qian Liu. Comparative Study of SiC Microstructure Neutron Detectors. IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement. 2025, 74:6000108.
[2] Zhi-yu Xi, Ying Wang∗, Xin-Xing Fei, Biao Sun, Huo-lin Huang, Yan-xing Song, Fei Cao. Experimental Study on Enhanced AlGaN/GaN HEMT under Different Irradiation Conditions. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2025, 72(4): 1552-1558.
[3] De-Xin Chen, Ying Wang, Yan-Xing Song and Wei Zhang. TCAD Analysis of Single-Event Burnout Hardness for an Improved CoolSiC Trench MOSFET. IEEE Transactions on Electron Devices. 2024, 71(8): 4596-4603.
[4] Cheng-Hao Yu, Ying Wang*, Meng-Tian Bao, Xing-Ji Li*, Jian-Qun Yang, and Fei Cao. Impact of Heavy-Ion Irradiation in an 80-V Radiation-Hardened Split-Gate Trench Power UMOSFET, IEEE Transactions on Electron Devices, 2022, 69(2): 664-668.
[5] Jian-Cheng Zhou, Ying Wang*, Xing-Ji Li, Jian-Qun Yang, Meng-Tian Bao, and Fei Cao. Simulation Study of Single-Event Effects for the 4H-SiC VDMOSFET With Ultralow On-Resistance. IEEE Transactions on Electron Devices. 2022, 69(6): 3283-3289.
| 第一发明人授权发明专利
[1] 一种高UIS雪崩耐量的功率VDMOSFET器件及其制备方法,ZL202211084593.5,授权公告日2025.11.04。
[2] 一种双沟槽型碳化硅中子探测器,ZL202210993292.8,授权公告日2025.08.26。
[3] 一种具有抗单粒子烧毁能力的功率器件,ZL202111457429.X,授权公告日2025.03.25。
[4] 基于双栅极的GaN高电子迁移率晶体管结构和制备方法,ZL202411503528.0,授权公告日2025.12.12。
[5] 包含嵌入层的增强型AlGaN/GaN HEMT器件,ZL202411503530.8,授权公告日2025.12.12。
| 主持的科研项目
[1] 基于微沟槽的碳化硅高性能中子探测系统,国家自然科学基金重大科研仪器研制项目,2021/01-2025/12 主持
[2] 多维电场调制功率场效应晶体管辐射效应与加固机理研究,国家自然科学基金面上项目,2018/01-2021/12 主持
[3] 集成电路铜互连自形成阻挡层新方法与相关理论研究,国家自然科学基金面上项目,2014/01-2017/12 主持
[4] 单片集成核辐射探测器理论与小型化技术研究,教育部科学技术研究重大项目,2013/01-2015/12 主持
[5] 铜互连体系中锆硅超薄膜扩散阻挡性能与机理研究,国家自然科学基金青年基金,2010/01-2012/12 主持
| 主要荣誉
[1] 国家百千万人才工程 2019年
[2] 教育部新世纪优秀人才 2011年
| 招生信息
| 专业代码 | 招生专业 | 研究方向 | 招生说明 |
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