2000.09-2004.07 辽宁大学 电子科学与技术 本科
2006.09-2009.07 辽宁大学 微电子学与固体电子学 硕士
2009.09-2016.07 哈尔滨工业大学 材料学 博士
2004.8-2006.06 辽宁大学 物理学院 助教
2006.07-2015.12 哈尔滨工程大学 信息与通信工程学院 讲师
2016.01-2021.09 杭州电子科技大学 电子信息学院 讲师
2021.10- 大连海事大学 信息科学技术学院 副教授
1. 微电子器件与集成电路
2. 微电子器件CAD技术与应用

1、High Single-Event Burnout Resistance 4H-SiC Junction Barrier Schottky Diode,IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY ,2021,SCI

2、Improved interface characteristics of Mo/4H-SiC schottky contact,Solid-State Electronics,2021,SCI

3、a Low temperature Ni/Si/Al ohmic contacts to p-type 4H-SiC,Solid-State Electronics,2021,SCI

4、Improving the barrier inhomogeneity of 4H-SiC Schottky diodes by inserting Al2O3 interface layer,Solid-State Electronics,2021,SCI

5、Evaluation of Cu(Ti) and Cu(Zr) alloys in barrier-less Cu metallization,Materials Chemistry and Physics,2018,SCI

6、Reliability improvements in SOI-like MOSFET with ESD and self-heating effect,Micro & Nano Letters,2018,SCI

7、Evaluation of Cu(V) self-forming barrier for Cu metallization.,Journal of Alloys and Compounds,2016,SCI

8、Influence of field- assisted annealing on Cu(V) barrier-less metallization,Vacuum,2016,SCI

9、Feasibility study on the use of Cu(Co) alloy for barrierless copper metallization,Thin Solid Films,2016,SCI



铜金属化自形成阻挡层低温退火方法,ZL201010282532.0

具有渐变体连接的SOI LDMOS晶体管,ZL200910071882.X

4H-SiC沟槽绝缘栅双极型晶体,ZL202010023568.0

一种4H-SiC沟槽绝缘栅双极型晶体管,ZL202010023544.5

一种适用于功率半导体器件的抗单粒子烧毁结构,ZL201910786441.1


N型和P型兼容的铜基碳化硅欧姆接触机理与关键技术研究,国家自然科学基金青年基金,纵向,主持在研,2020/01-2022/12



黑龙江省科学技术奖二等奖(自然奖) 黑龙江省人民政府 2019

黑龙江省科学技术奖二等奖(自然奖) 黑龙江省人民政府 2012



专业代码 招生专业 研究方向
硕士生 081000/085400 信息与通信工程/电子信息