王颖 信息科学技术学院   信息与通信工程
  • 专业技术职务:教授
  • 社会职务:无
  • 研究方向:功率半导体器件、微电子器件CAD技术、半导体传感器、新型微电子器件与集成技术
  • 学位:工学博士
  • 联系方式:
  • 电子邮箱:wangying7711@dlmu.edu.cn
个人资料
  • 性别:
  • 部门: 电科教学系
  • 民族: 满族
  • 专业技术职务: 教授
  • 社会职务:
  • 研究方向: 功率半导体器件、微电子器件CAD技术、半导体传感器、新型微电子器件与集成技术
  • 毕业院校: 西安交通大学
  • 学位: 工学博士
  • 政治面貌: 中共党员
  • 联系电话:
  • 电子邮箱: wangying7711@dlmu.edu.cn
  • 办公地址:
  • 通信地址:
  • 传真:
  • 邮编: 116026
王颖
教育经历 1995.09-1999.07 辽宁大学 微电子学 本科
1999.09-2002.07 辽宁大学 微电子学与固体电子学 硕士
2002.09-2005.11 西安交通大学 电子科学与技术 博士
工作经历 2005.12-2009.08 哈尔滨工程大学 信息与通信工程学院 副教授
2009.09-2015.12 哈尔滨工程大学 信息与通信工程学院 教授
2016.01-2021.09 杭州电子科技大学 电子信息学院 教授
2021.10至今 大连海事大学 信息科学技术学院 教授

研究领域
"(1)微电子器件与集成技术 (2)微电子器件CAD技术与应用 在上述研究领域积累了一定的理论和技术基础,以第一/唯一通讯作者在国际期刊发表SCI收录论文120余篇,其中微电子器件领域权威期刊IEEE TED、IEEE EDL 40余篇;以第一发明人获授权发明专利40余项;以第一完成人获省部级科学技术奖二等奖2项。 "

序号 项目名称 立项单位 项目类型 项目状态 项目时间
横向或纵向 完成或在研 某年某月至某年某月
1 基于微沟槽的碳化硅高性能中子探测系统 国家自然科学基金重大科研仪器研制项目 纵向 主持在研 2021/01-2025/12
2 多维电场调制功率场效应晶体管辐射效应与加固机理研究 国家自然科学基金面上项目 纵向 主持在研 2018/01-2021/12

序号 论文题目 刊物或会议 发表时间 检索情况 作者
1 A Snapback Suppressed RC-IGBT With N-Si/n-Ge Heterojunction at Low Temperature IEEE Transactions on Electron Devices 2021 SCI 通讯作者
2 Study of Single-Event Burnout in 1.5-kV 4H-SiC JTE Termination IEEE Transactions on Electron Devices 2021 SCI 通讯作者
3 Single Event Burnout Hardening Method and Evaluation in SiC Power MOSFET Devices IEEE Transactions on Electron Devices 2020 SCI 通讯作者
4 4H-SiC UMOSFET With an Electric Field Modulation Region Below P-Body IEEE Transactions on Electron Devices 2020 SCI 通讯作者
5 Fully Depleted SOI Pixel Detector with Multijunction Structure in p-Type Substrate IEEE Transactions on Electron Devices 2019 SCI 通讯作者
6 Single-Event Burnout Hardness for the 4H-SiC Trench-Gate MOSFETs Based on the Multi-Island Buffer Layer IEEE Transactions on Electron Devices 2019 SCI 第一作者
7 Evaluation by Simulation of AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode (SBD) with Anode-Via Vertical Field Plate Structure IEEE Transactions on Electron Devices 2018 SCI 第一作者
8 High Performance of Polysilicon/4H-SiC Dual-heterojunction Trench Diode IEEE Transactions on Electron Devices 2018 SCI 第一作者
9 Multiple Trench Split gate SOI LDMOS Integrated with Schottky Rectifier IEEE Transactions on Electron Devices 2017 SCI 第一作者
10 4H–SiC Step Trench Gate Power Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor IEEE Electron Device Letters 2016 SCI 第一作者

专业代码 招生专业 研究方向
硕士生招生信息 081000/085400 信息与通信工程/电子信息
博士生招生信息 081000 信息与通信工程
博士后招生信息 081000 信息与通信工程
信息科学技术学院 081000 信息与通信工程 01.导航与雷达信息系统
02.射频通信理论与技术
03.光电信息检测与处理技术
04.移动通信理论与技术
05.信号与图像处理理论与技术
081200 计算机科学与技术 01.计算机软件与理论
02.计算机应用技术
03.计算机网络与信息安全
083500 软件工程 01.软件技术与方法
02.航运大数据技术与应用
03.服务计算与软件服务工程
085400 电子信息 04.电子与通信工程-导航与雷达信息系统
05.电子与通信工程-射频通信理论与技术
06.电子与通信工程-光电信息检测与处理技术
07.电子与通信工程-移动通信理论与技术
08.电子与通信工程-信号与图像处理理论与技术
09.计算机技术-计算机软件
10.计算机技术-大数据技术与云计算
11.计算机技术-计算机网络与区块链技术
12.计算机技术-智能技术与系统
13.软件工程-软件技术与方法
14.软件工程-大数据技术与应用
15.软件工程-服务计算与信息系统

序号 成果 项目名称 授权日期 专利号
1 一种高转换增益和低串扰的像素探测器 ZL201910062429.6
2 一种高压功率器件的阶梯结终端扩展结构 ZL201811208426.0
3 一种具有电极相连PIN埋管的GaN场效应晶体管 ZL201810657234.1
4 一种适用于功率半导体器件的抗单粒子烧毁结构 ZL201910786441.1
5 一种具有源极相连P埋层和漏场板的GaN场效应晶体管 ZL201810657252X

荣誉,奖励
序号 名称 颁发部门 时间
1 百千万人才工程国家级人选 人社部 2019
2 国家有突出贡献中青年专家 人社部 2019
3 黑龙江省科学技术奖二等奖(自然奖) 黑龙江省人民政府 2019
4 黑龙江省科学技术奖二等奖(自然奖) 黑龙江省人民政府 2012
5 教育部新世纪优秀人才 教育部 2011

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